Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 4.89fr | 5.29fr |
2 - 2 | 4.64fr | 5.02fr |
3 - 4 | 4.40fr | 4.76fr |
5 - 9 | 4.15fr | 4.49fr |
10 - 19 | 4.06fr | 4.39fr |
20 - 29 | 3.96fr | 4.28fr |
30 - 253 | 3.81fr | 4.12fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 4.89fr | 5.29fr |
2 - 2 | 4.64fr | 5.02fr |
3 - 4 | 4.40fr | 4.76fr |
5 - 9 | 4.15fr | 4.49fr |
10 - 19 | 4.06fr | 4.39fr |
20 - 29 | 3.96fr | 4.28fr |
30 - 253 | 3.81fr | 4.12fr |
Transistor FQA36P15. Transistor. C (in): 2550pF. C (out): 710pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 198 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 144A. Id (T=100°C): 25.5A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 294W. Résistance passante Rds On: 0.076 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 155 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Technologie DMOS. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 150V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: Faible charge de grille (81nC typique). Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 08:25.
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