Transistor FQP17P10

Transistor FQP17P10. Transistor. C (in): 850pF. C (out): 310pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 66A. Id (T=100°C): 11.7A. Id (T=25°C): 16.5A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 100W. Résistance passante Rds On: 0.14 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 08:25.