Transistor FS75R12KE3GBOSA1

Quantité	HT	TTC
1 - 1	225.82fr	244.11fr
2 - 2	214.53fr	231.91fr
3 - 4	203.24fr	219.70fr
5 - 9	191.94fr	207.49fr
10 - 14	187.43fr	202.61fr
15 - 19	182.91fr	197.73fr
20+	180.65fr	195.28fr

Quantité	U.P
1 - 1	225.82fr	244.11fr
2 - 2	214.53fr	231.91fr
3 - 4	203.24fr	219.70fr
5 - 9	191.94fr	207.49fr
10 - 14	187.43fr	202.61fr
15 - 19	182.91fr	197.73fr
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Transistor FS75R12KE3GBOSA1. Transistor. C (in): 5300pF. Type de canal: N. Courant de collecteur: 100A. Ic(puls): 150A. Ic(T=100°C): 75A. Marquage sur le boîtier: FS75R12KE3G. Dimensions: 122x62x17.5mm. Dissipation de puissance maxi: 355W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 42us. Td(on): 26us. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Fonction: ICRM 150A Tp=1ms. Nombre de connexions: 35. Remarque: 6x IGBT+ CE Diode. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.

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