Transistor G60N04K

Transistor G60N04K. Transistor. C (in): 1800pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 200A. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): n/a. Marquage sur le boîtier: G60N04K. Dissipation de puissance maxi: 65W. Résistance passante Rds On: 5.3m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2500. Fonction: commutation de puissance, convertisseurs DC/DC. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.