Transistor HGTG10N120BND

Quantité	HT	TTC
1 - 1	5.28fr	5.71fr
2 - 2	5.02fr	5.43fr
3 - 4	4.75fr	5.13fr
5 - 9	4.49fr	4.85fr
10 - 19	4.38fr	4.73fr
20 - 29	4.28fr	4.63fr
30 - 47	4.12fr	4.45fr

Quantité	U.P
1 - 1	5.28fr	5.71fr
2 - 2	5.02fr	5.43fr
3 - 4	4.75fr	5.13fr
5 - 9	4.49fr	4.85fr
10 - 19	4.38fr	4.73fr
20 - 29	4.28fr	4.63fr
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Transistor HGTG10N120BND. Transistor. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 35A. Ic(puls): 80A. Ic(T=100°C): 17A. Marquage sur le boîtier: 10N120BND. Dissipation de puissance maxi: 298W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 165 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: Transistor IGBT série NPT avec diode hyperrapide anti-parallèle. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.45V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.8V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 30. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.

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