Transistor HGTG12N60A4D

Quantité	HT	TTC
1 - 1	5.71fr	6.17fr
2 - 2	5.42fr	5.86fr
3 - 4	5.14fr	5.56fr
5 - 9	4.85fr	5.24fr
10 - 19	4.74fr	5.12fr
20 - 29	5.17fr	5.59fr
30 - 191	5.97fr	6.45fr

Quantité	U.P
1 - 1	5.71fr	6.17fr
2 - 2	5.42fr	5.86fr
3 - 4	5.14fr	5.56fr
5 - 9	4.85fr	5.24fr
10 - 19	4.74fr	5.12fr
20 - 29	5.17fr	5.59fr
30 - 191	5.97fr	6.45fr

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Transistor HGTG12N60A4D. Transistor. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Date de production: 2014/17. Courant de collecteur: 54A. Ic(puls): 96A. Ic(T=100°C): 23A. Marquage sur le boîtier: 12N60A4D. Dissipation de puissance maxi: 167W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 96 ns. Td(on): 17 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.6V. Nombre de connexions: 3. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.

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