Transistor HGTG12N60C3D

Quantité	HT	TTC
1 - 4	4.67fr	5.05fr
5 - 9	4.43fr	4.79fr
10 - 24	4.20fr	4.54fr
25 - 45	3.97fr	4.29fr

Quantité	U.P
1 - 4	4.67fr	5.05fr
5 - 9	4.43fr	4.79fr
10 - 24	4.20fr	4.54fr
25 - 45	3.97fr	4.29fr

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Transistor HGTG12N60C3D. Transistor. Type de canal: N. Fonction: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Courant de collecteur: 24A. Ic(puls): 96A. Ic(T=100°C): 12A. Marquage sur le boîtier: G12N60C3D. Dissipation de puissance maxi: 104W. RoHS: non. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 270 ns. Td(on): 14 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.

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