Transistor HGTG30N60B3D

Quantité	HT	TTC
1 - 1	10.13fr	10.95fr
2 - 2	9.62fr	10.40fr
3 - 4	9.12fr	9.86fr
5 - 9	8.61fr	9.31fr
10 - 14	8.41fr	9.09fr
15 - 19	8.21fr	8.88fr
20 - 21	7.90fr	8.54fr

Quantité	U.P
1 - 1	10.13fr	10.95fr
2 - 2	9.62fr	10.40fr
3 - 4	9.12fr	9.86fr
5 - 9	8.61fr	9.31fr
10 - 14	8.41fr	9.09fr
15 - 19	8.21fr	8.88fr
20 - 21	7.90fr	8.54fr

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Transistor HGTG30N60B3D. Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 137 ns. Td(on): 36ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.45V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.2V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 02:25.

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