Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 13.24fr | 14.31fr |
2 - 2 | 12.58fr | 13.60fr |
3 - 4 | 11.92fr | 12.89fr |
5 - 9 | 11.25fr | 12.16fr |
10 - 14 | 10.99fr | 11.88fr |
15 - 19 | 10.72fr | 11.59fr |
20 - 30 | 10.33fr | 11.17fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 13.24fr | 14.31fr |
2 - 2 | 12.58fr | 13.60fr |
3 - 4 | 11.92fr | 12.89fr |
5 - 9 | 11.25fr | 12.16fr |
10 - 14 | 10.99fr | 11.88fr |
15 - 19 | 10.72fr | 11.59fr |
20 - 30 | 10.33fr | 11.17fr |
Transistor HGTG40N60B3. Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 290W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 170 ns. Td(on): 47 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 02:25.
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