Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.83fr | 0.90fr |
5 - 9 | 0.79fr | 0.85fr |
10 - 24 | 0.75fr | 0.81fr |
25 - 49 | 0.71fr | 0.77fr |
50 - 51 | 0.69fr | 0.75fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.83fr | 0.90fr |
5 - 9 | 0.79fr | 0.85fr |
10 - 24 | 0.75fr | 0.81fr |
25 - 49 | 0.71fr | 0.77fr |
50 - 51 | 0.69fr | 0.75fr |
Transistor HUF75307D3. Transistor. C (in): 250pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de transistor: MOSFET. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75307D. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 02:25.
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