Transistor IGBT SGP30N60HS
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 5.23fr | 5.65fr |
| 2 - 2 | 4.96fr | 5.36fr |
| 3 - 4 | 4.70fr | 5.08fr |
| 5 - 9 | 4.44fr | 4.80fr |
| 10 - 19 | 4.34fr | 4.69fr |
| 20 - 29 | 4.23fr | 4.57fr |
| 30 - 115 | 4.08fr | 4.41fr |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 5.23fr | 5.65fr |
| 2 - 2 | 4.96fr | 5.36fr |
| 3 - 4 | 4.70fr | 5.08fr |
| 5 - 9 | 4.44fr | 4.80fr |
| 10 - 19 | 4.34fr | 4.69fr |
| 20 - 29 | 4.23fr | 4.57fr |
| 30 - 115 | 4.08fr | 4.41fr |
Transistor IGBT SGP30N60HS. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G30N60HS. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 122 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Courant de collecteur maxi (A): 112A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 04:25.
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