Transistor IGBT STGW60V60DF

Transistor IGBT STGW60V60DF. Transistor IGBT. C (in): 8000pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 74 ns. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marquage sur le boîtier: GW60V60DF. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 375W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 216 ns. Td(on): 57 ns. Boîtier: TO-247. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 19/04/2025, 13:25.