Transistor IGP03N120H2

Quantité	HT	TTC
1 - 4	3.68fr	3.98fr
5 - 9	3.50fr	3.78fr
10 - 24	3.31fr	3.58fr
25 - 49	3.13fr	3.38fr
50 - 71	2.21fr	2.39fr

Quantité	U.P
1 - 4	3.68fr	3.98fr
5 - 9	3.50fr	3.78fr
10 - 24	3.31fr	3.58fr
25 - 49	3.13fr	3.38fr
50 - 71	2.21fr	2.39fr

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Transistor IGP03N120H2. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G03H1202. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 3A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 281 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.9V. Dissipation maximale Ptot [W]: 62.5W. Courant de collecteur maxi (A): 9.9A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 02:25.

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