Transistor IHW20N135R5

Quantité	HT	TTC
1 - 1	5.88fr	6.36fr
2 - 2	5.59fr	6.04fr
3 - 4	5.29fr	5.72fr
5 - 9	5.00fr	5.41fr
10 - 19	4.88fr	5.28fr
20 - 29	4.76fr	5.15fr
30 - 45	4.59fr	4.96fr

Quantité	U.P
1 - 1	5.88fr	6.36fr
2 - 2	5.59fr	6.04fr
3 - 4	5.29fr	5.72fr
5 - 9	5.00fr	5.41fr
10 - 19	4.88fr	5.28fr
20 - 29	4.76fr	5.15fr
30 - 45	4.59fr	4.96fr

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Transistor IHW20N135R5. Transistor. C (in): 1360pF. C (out): 43pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 50 ns. Fonction: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Marquage sur le boîtier: H20PR5. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 288W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 235 ns. Technologie: TRENCHSTOP TM technology. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO247-3. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.85V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1350V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 02:25.