Transistor IHW30N120R2

Quantité	HT	TTC
1 - 1	7.97fr	8.62fr
2 - 2	7.57fr	8.18fr
3 - 4	7.17fr	7.75fr
5 - 9	6.77fr	7.32fr
10 - 19	6.61fr	7.15fr
20 - 20	6.45fr	6.97fr

Quantité	U.P
1 - 1	7.97fr	8.62fr
2 - 2	7.57fr	8.18fr
3 - 4	7.17fr	7.75fr
5 - 9	6.77fr	7.32fr
10 - 19	6.61fr	7.15fr
20 - 20	6.45fr	6.97fr

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Transistor IHW30N120R2. Transistor. C (in): 2589pF. C (out): 77pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Marquage sur le boîtier: H30R1202. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 390W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 792 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Fonction: Cuisson par induction, applications de commutation. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 02:25.

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