Transistor IKW25N120T2

Quantité	HT	TTC
1 - 1	13.52fr	14.62fr
2 - 2	12.85fr	13.89fr
3 - 4	12.17fr	13.16fr
5 - 9	11.49fr	12.42fr
10 - 14	11.22fr	12.13fr
15 - 19	10.95fr	11.84fr
20 - 417	10.55fr	11.40fr

Quantité	U.P
1 - 1	13.52fr	14.62fr
2 - 2	12.85fr	13.89fr
3 - 4	12.17fr	13.16fr
5 - 9	11.49fr	12.42fr
10 - 14	11.22fr	12.13fr
15 - 19	10.95fr	11.84fr
20 - 417	10.55fr	11.40fr

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Quantité en stock : 417

Lot de 1

Transistor IKW25N120T2. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: K25T1202. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 25A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 27 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 265 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6.4V. Dissipation maximale Ptot [W]: 349W. Courant de collecteur maxi (A): 100A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 02:25.

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