Transistor IKW25T120

Quantité	HT	TTC
1 - 1	10.46fr	11.31fr
2 - 2	9.93fr	10.73fr
3 - 4	9.41fr	10.17fr
5 - 9	8.89fr	9.61fr
10 - 14	8.68fr	9.38fr
15 - 19	8.47fr	9.16fr
20 - 132	8.16fr	8.82fr

Quantité	U.P
1 - 1	10.46fr	11.31fr
2 - 2	9.93fr	10.73fr
3 - 4	9.41fr	10.17fr
5 - 9	8.89fr	9.61fr
10 - 14	8.68fr	9.38fr
15 - 19	8.47fr	9.16fr
20 - 132	8.16fr	8.82fr

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Transistor IKW25T120. Transistor. C (in): 1860pF. C (out): 96pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 200 ns. Fonction: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Courant de collecteur: 50A. Ic(puls): 75A. Ic(T=100°C): 25A. Marquage sur le boîtier: K25T120. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 560 ns. Td(on): 50 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 02:25.

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