Transistor IKW75N60T

Quantité	HT	TTC
1 - 1	11.36fr	12.28fr
2 - 2	10.79fr	11.66fr
3 - 4	10.22fr	11.05fr
5 - 9	9.66fr	10.44fr
10 - 14	9.43fr	10.19fr
15 - 19	9.20fr	9.95fr
20 - 65	8.86fr	9.58fr

Quantité	U.P
1 - 1	11.36fr	12.28fr
2 - 2	10.79fr	11.66fr
3 - 4	10.22fr	11.05fr
5 - 9	9.66fr	10.44fr
10 - 14	9.43fr	10.19fr
15 - 19	9.20fr	9.95fr
20 - 65	8.86fr	9.58fr

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Transistor IKW75N60T. Transistor. C (in): 4620pF. C (out): 288pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 182 ns. Fonction: VCEsat très faible. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 225A. Ic(T=100°C): 75A. Marquage sur le boîtier: K75T60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 428W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 330 ns. Td(on): 33 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 02:25.

Documentation technique