Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.13fr | 3.38fr |
5 - 9 | 2.98fr | 3.22fr |
10 - 24 | 2.82fr | 3.05fr |
25 - 49 | 2.66fr | 2.88fr |
50 - 50 | 2.60fr | 2.81fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.13fr | 3.38fr |
5 - 9 | 2.98fr | 3.22fr |
10 - 24 | 2.82fr | 3.05fr |
25 - 49 | 2.66fr | 2.88fr |
50 - 50 | 2.60fr | 2.81fr |
Transistor IRF1324. Transistor. C (in): 5790pF. C (out): 3440pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 46 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. Id(imp): 1412A. Id (T=100°C): 249A. Id (T=25°C): 353A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 1.2M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 83 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 24V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 00:25.
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