Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.76fr | 4.06fr |
5 - 9 | 3.58fr | 3.87fr |
10 - 24 | 3.39fr | 3.66fr |
25 - 49 | 3.20fr | 3.46fr |
50 - 99 | 3.12fr | 3.37fr |
100 - 101 | 2.94fr | 3.18fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.76fr | 4.06fr |
5 - 9 | 3.58fr | 3.87fr |
10 - 24 | 3.39fr | 3.66fr |
25 - 49 | 3.20fr | 3.46fr |
50 - 99 | 3.12fr | 3.37fr |
100 - 101 | 2.94fr | 3.18fr |
Transistor IRF2907Z. Transistor. C (in): 7500pF. C (out): 970pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 41 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 680A. Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 170A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRF2907Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 97 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 75V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 00:25.
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