Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.97fr | 2.13fr |
5 - 9 | 1.88fr | 2.03fr |
10 - 24 | 1.78fr | 1.92fr |
25 - 49 | 1.68fr | 1.82fr |
50 - 54 | 1.64fr | 1.77fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.97fr | 2.13fr |
5 - 9 | 1.88fr | 2.03fr |
10 - 24 | 1.78fr | 1.92fr |
25 - 49 | 1.68fr | 1.82fr |
50 - 54 | 1.64fr | 1.77fr |
Transistor IRF3415. Transistor. C (in): 2400pF. C (out): 640pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 260 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 150A. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 43A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.0042 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 71 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 150V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 00:25.
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