Transistor IRF3711S

Transistor IRF3711S. Transistor. C (in): 2980pF. C (out): 1770pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 48 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: DC-DC isolé haute fréquence. Id(imp): 440A. Id (T=100°C): 69A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 120W. Résistance passante Rds On: 4.7M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 17 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 20:25.