Transistor IRF520PBF-IR

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.17fr	1.26fr
5 - 9	1.11fr	1.20fr
10 - 24	0.87fr	0.94fr
25 - 49	0.82fr	0.89fr
50 - 99	0.80fr	0.86fr
100 - 249	0.78fr	0.84fr
250 - 1188	0.74fr	0.80fr

Quantité	U.P
1 - 4	1.17fr	1.26fr
5 - 9	1.11fr	1.20fr
10 - 24	0.87fr	0.94fr
25 - 49	0.82fr	0.89fr
50 - 99	0.80fr	0.86fr
100 - 249	0.78fr	0.84fr
250 - 1188	0.74fr	0.80fr

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Lot de 1

Transistor IRF520PBF-IR. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF520PBF. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 5.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 20:25.

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