Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.27fr | 1.37fr |
5 - 9 | 1.21fr | 1.31fr |
10 - 24 | 1.14fr | 1.23fr |
25 - 49 | 1.08fr | 1.17fr |
50 - 99 | 1.05fr | 1.14fr |
100 - 249 | 1.03fr | 1.11fr |
250 - 1449 | 0.98fr | 1.06fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.27fr | 1.37fr |
5 - 9 | 1.21fr | 1.31fr |
10 - 24 | 1.14fr | 1.23fr |
25 - 49 | 1.08fr | 1.17fr |
50 - 99 | 1.05fr | 1.14fr |
100 - 249 | 1.03fr | 1.11fr |
250 - 1449 | 0.98fr | 1.06fr |
Transistor IRF5305STRLPBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F5305S. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 110W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 20:25.
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