Transistor IRF540NPBF-IR

Quantité	HT	TTC
1 - 4	2.56fr	2.77fr
5 - 9	2.43fr	2.63fr
10 - 24	1.15fr	1.24fr
25 - 49	1.09fr	1.18fr
50 - 99	1.06fr	1.15fr
100 - 249	0.87fr	0.94fr
250 - 1744	0.84fr	0.91fr

Quantité	U.P
1 - 4	2.56fr	2.77fr
5 - 9	2.43fr	2.63fr
10 - 24	1.15fr	1.24fr
25 - 49	1.09fr	1.18fr
50 - 99	1.06fr	1.15fr
100 - 249	0.87fr	0.94fr
250 - 1744	0.84fr	0.91fr

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Quantité en stock : 1744

Lot de 1

Transistor IRF540NPBF-IR. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF540N. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1960pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 20:25.

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