Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.97fr | 1.05fr |
5 - 9 | 0.92fr | 0.99fr |
10 - 24 | 0.87fr | 0.94fr |
25 - 49 | 0.83fr | 0.90fr |
50 - 99 | 0.81fr | 0.88fr |
100 - 249 | 0.79fr | 0.85fr |
250 - 1490 | 0.75fr | 0.81fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.97fr | 1.05fr |
5 - 9 | 0.92fr | 0.99fr |
10 - 24 | 0.87fr | 0.94fr |
25 - 49 | 0.83fr | 0.90fr |
50 - 99 | 0.81fr | 0.88fr |
100 - 249 | 0.79fr | 0.85fr |
250 - 1490 | 0.75fr | 0.81fr |
Transistor IRF540NSTRLPBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F540NS. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1960pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 20:25.
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