Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.86fr | 2.01fr |
5 - 9 | 1.77fr | 1.91fr |
10 - 24 | 1.84fr | 1.99fr |
25 - 49 | 1.83fr | 1.98fr |
50 - 99 | 1.52fr | 1.64fr |
100 - 249 | 1.48fr | 1.60fr |
250 - 387 | 1.41fr | 1.52fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.86fr | 2.01fr |
5 - 9 | 1.77fr | 1.91fr |
10 - 24 | 1.84fr | 1.99fr |
25 - 49 | 1.83fr | 1.98fr |
50 - 99 | 1.52fr | 1.64fr |
100 - 249 | 1.48fr | 1.60fr |
250 - 387 | 1.41fr | 1.52fr |
Transistor IRF540PBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF540PBF. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 28A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 17A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 53 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 20:25.
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