Transistor IRF610PBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.68fr	0.74fr
5 - 9	0.64fr	0.69fr
10 - 24	0.61fr	0.66fr
25 - 49	0.58fr	0.63fr
50 - 99	0.86fr	0.93fr
100 - 249	0.98fr	1.06fr
250 - 345	0.69fr	0.75fr

Quantité	U.P
1 - 4	0.68fr	0.74fr
5 - 9	0.64fr	0.69fr
10 - 24	0.61fr	0.66fr
25 - 49	0.58fr	0.63fr
50 - 99	0.86fr	0.93fr
100 - 249	0.98fr	1.06fr
250 - 345	0.69fr	0.75fr

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Transistor IRF610PBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF610PBF. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 11 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 140pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Boîtier (norme JEDEC): 36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 20:25.

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