Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.17fr | 1.26fr |
5 - 9 | 1.11fr | 1.20fr |
10 - 24 | 1.05fr | 1.14fr |
25 - 49 | 0.99fr | 1.07fr |
50 - 99 | 0.80fr | 0.86fr |
100 - 107 | 0.78fr | 0.84fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.17fr | 1.26fr |
5 - 9 | 1.11fr | 1.20fr |
10 - 24 | 1.05fr | 1.14fr |
25 - 49 | 0.99fr | 1.07fr |
50 - 99 | 0.80fr | 0.86fr |
100 - 107 | 0.78fr | 0.84fr |
Transistor IRF620PBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF620PBF. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 3.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 260pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 20:25.
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