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Transistor IRF630PBF

Transistor IRF630PBF
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Quantité HT TTC
1 - 4 1.58fr 1.71fr
5 - 9 1.50fr 1.62fr
10 - 24 1.37fr 1.48fr
25 - 38 1.36fr 1.47fr
Quantité U.P
1 - 4 1.58fr 1.71fr
5 - 9 1.50fr 1.62fr
10 - 24 1.37fr 1.48fr
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Quantité en stock : 38
Lot de 1

Transistor IRF630PBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF630PBF. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 74W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 20:25.

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