Transistor IRF710PBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.75fr	0.81fr
5 - 9	0.71fr	0.77fr
10 - 24	0.67fr	0.72fr
25 - 49	0.64fr	0.69fr
50 - 99	0.62fr	0.67fr
100 - 249	0.63fr	0.68fr
250 - 356	0.61fr	0.66fr

Quantité	U.P
1 - 4	0.75fr	0.81fr
5 - 9	0.71fr	0.77fr
10 - 24	0.67fr	0.72fr
25 - 49	0.64fr	0.69fr
50 - 99	0.62fr	0.67fr
100 - 249	0.63fr	0.68fr
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Transistor IRF710PBF. Transistor. Boîtier: TO-220AB. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF710PBF. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.6 Ohms @ 1.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 170pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 2A. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension drain - source (Vds): 400V. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 14:25.

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