Transistor IRF7309TRPBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.81fr	0.88fr
5 - 9	0.77fr	0.83fr
10 - 24	0.73fr	0.79fr
25 - 49	0.69fr	0.75fr
50 - 99	0.67fr	0.72fr
100 - 249	0.66fr	0.71fr
250 - 4614	0.64fr	0.69fr

Quantité	U.P
1 - 4	0.81fr	0.88fr
5 - 9	0.77fr	0.83fr
10 - 24	0.73fr	0.79fr
25 - 49	0.69fr	0.75fr
50 - 99	0.67fr	0.72fr
100 - 249	0.66fr	0.71fr
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Transistor IRF7309TRPBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7309. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A/-3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.1 Ohms @ 2.4/-1.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.8/11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 22/25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 520/440pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.4W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 14:25.

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