Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.03fr | 1.11fr |
5 - 9 | 0.98fr | 1.06fr |
10 - 24 | 0.92fr | 0.99fr |
25 - 49 | 0.87fr | 0.94fr |
50 - 99 | 0.85fr | 0.92fr |
100 - 187 | 0.88fr | 0.95fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.03fr | 1.11fr |
5 - 9 | 0.98fr | 1.06fr |
10 - 24 | 0.92fr | 0.99fr |
25 - 49 | 0.87fr | 0.94fr |
50 - 99 | 0.85fr | 0.92fr |
100 - 187 | 0.88fr | 0.95fr |
Transistor IRF730PBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF730PBF. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 3.3A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 38 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 74W. Boîtier (norme JEDEC): 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 14:25.
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