Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.66fr | 1.79fr |
5 - 9 | 1.58fr | 1.71fr |
10 - 24 | 1.25fr | 1.35fr |
25 - 49 | 1.18fr | 1.28fr |
50 - 99 | 1.15fr | 1.24fr |
100 - 249 | 1.03fr | 1.11fr |
250 - 366 | 0.98fr | 1.06fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.66fr | 1.79fr |
5 - 9 | 1.58fr | 1.71fr |
10 - 24 | 1.25fr | 1.35fr |
25 - 49 | 1.18fr | 1.28fr |
50 - 99 | 1.15fr | 1.24fr |
100 - 249 | 1.03fr | 1.11fr |
250 - 366 | 0.98fr | 1.06fr |
Transistor IRF7317TRPBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7317. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.6A / -5.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 6/-2.9A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12/22 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 57/63 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 900/780pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 14:25.
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