Transistor IRF7343PBF

Transistor IRF7343PBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7343. Tension drain-source Uds [V]: 55V/-55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.7A/-3.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12/22 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 48/64 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 740/690pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 14:25.