Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.81fr | 0.88fr |
5 - 9 | 0.77fr | 0.83fr |
10 - 24 | 0.72fr | 0.78fr |
25 - 49 | 0.68fr | 0.74fr |
50 - 99 | 0.67fr | 0.72fr |
100 - 249 | 0.54fr | 0.58fr |
250 - 643 | 0.51fr | 0.55fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.81fr | 0.88fr |
5 - 9 | 0.77fr | 0.83fr |
10 - 24 | 0.72fr | 0.78fr |
25 - 49 | 0.68fr | 0.74fr |
50 - 99 | 0.67fr | 0.72fr |
100 - 249 | 0.54fr | 0.58fr |
250 - 643 | 0.51fr | 0.55fr |
Transistor IRF7413PBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7413. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 7.3A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 06:25.
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