Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.66fr | 1.79fr |
5 - 9 | 1.58fr | 1.71fr |
10 - 24 | 1.49fr | 1.61fr |
25 - 49 | 1.41fr | 1.52fr |
50 - 99 | 1.38fr | 1.49fr |
100 - 249 | 1.35fr | 1.46fr |
250 - 286 | 1.28fr | 1.38fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.66fr | 1.79fr |
5 - 9 | 1.58fr | 1.71fr |
10 - 24 | 1.49fr | 1.61fr |
25 - 49 | 1.41fr | 1.52fr |
50 - 99 | 1.38fr | 1.49fr |
100 - 249 | 1.35fr | 1.46fr |
250 - 286 | 1.28fr | 1.38fr |
Transistor IRF7416PBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7416. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -10A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -5.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.04V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 59 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 06:25.
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