Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.05fr | 2.22fr |
5 - 9 | 1.95fr | 2.11fr |
10 - 24 | 1.85fr | 2.00fr |
25 - 49 | 1.45fr | 1.57fr |
50 - 99 | 1.42fr | 1.54fr |
100 - 249 | 1.38fr | 1.49fr |
250 - 2637 | 1.31fr | 1.42fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.05fr | 2.22fr |
5 - 9 | 1.95fr | 2.11fr |
10 - 24 | 1.85fr | 2.00fr |
25 - 49 | 1.45fr | 1.57fr |
50 - 99 | 1.42fr | 1.54fr |
100 - 249 | 1.38fr | 1.49fr |
250 - 2637 | 1.31fr | 1.42fr |
Transistor IRF7831TRPBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7831. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 21A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0036 Ohms @ 20A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.35V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 17 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6240pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 06:25.
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