Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.89fr | 2.04fr |
5 - 9 | 1.79fr | 1.93fr |
10 - 24 | 1.70fr | 1.84fr |
25 - 49 | 1.61fr | 1.74fr |
50 - 99 | 1.57fr | 1.70fr |
100 - 249 | 1.03fr | 1.11fr |
250 - 331 | 0.98fr | 1.06fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.89fr | 2.04fr |
5 - 9 | 1.79fr | 1.93fr |
10 - 24 | 1.70fr | 1.84fr |
25 - 49 | 1.61fr | 1.74fr |
50 - 99 | 1.57fr | 1.70fr |
100 - 249 | 1.03fr | 1.11fr |
250 - 331 | 0.98fr | 1.06fr |
Transistor IRF7832PBF. Transistor. C (in): 4310pF. C (out): 990pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 41us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power. Id(imp): 160A. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 150uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.031 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 10 ns. Td(on): 21 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.32V. Vgs(th) min.: 1.39V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 06:25.
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