Transistor IRF9610PBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.80fr	0.86fr
5 - 9	0.76fr	0.82fr
10 - 24	0.72fr	0.78fr
25 - 49	0.68fr	0.74fr
50 - 99	0.73fr	0.79fr
100 - 249	0.77fr	0.83fr
250 - 268	0.76fr	0.82fr

Quantité	U.P
1 - 4	0.80fr	0.86fr
5 - 9	0.76fr	0.82fr
10 - 24	0.72fr	0.78fr
25 - 49	0.68fr	0.74fr
50 - 99	0.73fr	0.79fr
100 - 249	0.77fr	0.83fr
250 - 268	0.76fr	0.82fr

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Transistor IRF9610PBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF9610PBF. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ -0.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 170pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Boîtier (norme JEDEC): 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 22:25.

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