Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.69fr | 0.75fr |
5 - 9 | 0.65fr | 0.70fr |
10 - 24 | 0.62fr | 0.67fr |
25 - 49 | 0.59fr | 0.64fr |
50 - 77 | 0.57fr | 0.62fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.69fr | 0.75fr |
5 - 9 | 0.65fr | 0.70fr |
10 - 24 | 0.62fr | 0.67fr |
25 - 49 | 0.59fr | 0.64fr |
50 - 77 | 0.57fr | 0.62fr |
Transistor IRF9953PBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F9953. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 190pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 22:25.
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