Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.01fr | 1.09fr |
5 - 9 | 0.95fr | 1.03fr |
10 - 24 | 0.90fr | 0.97fr |
25 - 49 | 0.85fr | 0.92fr |
50 - 99 | 0.83fr | 0.90fr |
100 - 113 | 0.75fr | 0.81fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.01fr | 1.09fr |
5 - 9 | 0.95fr | 1.03fr |
10 - 24 | 0.90fr | 0.97fr |
25 - 49 | 0.85fr | 0.92fr |
50 - 99 | 0.83fr | 0.90fr |
100 - 113 | 0.75fr | 0.81fr |
Transistor IRF9Z24NPBF. Transistor. C (in): 350pF. C (out): 170pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 47 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 48A. Id (T=100°C): 8.5A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 0.175 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 23 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 22:25.
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