Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 6.38fr | 6.90fr |
2 - 2 | 6.06fr | 6.55fr |
3 - 4 | 5.75fr | 6.22fr |
5 - 9 | 5.43fr | 5.87fr |
10 - 19 | 5.30fr | 5.73fr |
20 - 29 | 5.17fr | 5.59fr |
30 - 31 | 4.98fr | 5.38fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 6.38fr | 6.90fr |
2 - 2 | 6.06fr | 6.55fr |
3 - 4 | 5.75fr | 6.22fr |
5 - 9 | 5.43fr | 5.87fr |
10 - 19 | 5.30fr | 5.73fr |
20 - 29 | 5.17fr | 5.59fr |
30 - 31 | 4.98fr | 5.38fr |
Transistor IRFB3006. Transistor. C (in): 8970pF. C (out): 1020pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 44 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 1080A. Id (T=100°C): 190A. Id (T=25°C): 270A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 375W. Résistance passante Rds On: 0.0021 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 118 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 22:25.
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