Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.03fr | 2.19fr |
5 - 9 | 1.93fr | 2.09fr |
10 - 24 | 1.83fr | 1.98fr |
25 - 49 | 1.73fr | 1.87fr |
50 - 78 | 1.69fr | 1.83fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.03fr | 2.19fr |
5 - 9 | 1.93fr | 2.09fr |
10 - 24 | 1.83fr | 1.98fr |
25 - 49 | 1.73fr | 1.87fr |
50 - 78 | 1.69fr | 1.83fr |
Transistor IRFB3306PBF. Transistor. C (in): 4520pF. C (out): 500pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 31 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 620A. Id (T=100°C): 110A. Id (T=25°C): 160A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 230W. Résistance passante Rds On: 3.3M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 22:25.
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