Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 1.90fr | 2.05fr |
2 - 2 | 1.80fr | 1.95fr |
3 - 4 | 1.71fr | 1.85fr |
5 - 9 | 1.61fr | 1.74fr |
10 - 19 | 1.57fr | 1.70fr |
20 - 29 | 1.54fr | 1.66fr |
30 - 232 | 1.48fr | 1.60fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 1.90fr | 2.05fr |
2 - 2 | 1.80fr | 1.95fr |
3 - 4 | 1.71fr | 1.85fr |
5 - 9 | 1.61fr | 1.74fr |
10 - 19 | 1.57fr | 1.70fr |
20 - 29 | 1.54fr | 1.66fr |
30 - 232 | 1.48fr | 1.60fr |
Transistor IRFB4110PBF. Transistor. C (in): 9620pF. C (out): 670pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutateur PDP. Id(imp): 670A. Id (T=100°C): 130A. Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 370W. Résistance passante Rds On: 3.7m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 78 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Poids: 1.99g. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 22:25.
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