Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 4.82fr | 5.21fr |
2 - 2 | 4.58fr | 4.95fr |
3 - 4 | 4.34fr | 4.69fr |
5 - 9 | 4.10fr | 4.43fr |
10 - 19 | 4.00fr | 4.32fr |
20 - 29 | 3.90fr | 4.22fr |
30 - 40 | 3.76fr | 4.06fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 4.82fr | 5.21fr |
2 - 2 | 4.58fr | 4.95fr |
3 - 4 | 4.34fr | 4.69fr |
5 - 9 | 4.10fr | 4.43fr |
10 - 19 | 4.00fr | 4.32fr |
20 - 29 | 3.90fr | 4.22fr |
30 - 40 | 3.76fr | 4.06fr |
Transistor IRFB4228. Transistor. C (in): 4530pF. C (out): 550pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 76 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutateur PDP. Id(imp): 330A. Id (T=100°C): 59A. Id (T=25°C): 83A. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 330W. Résistance passante Rds On: 12m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 24 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension Vds(max): 150V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 22:25.
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