Transistor IRFB4310PBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	4.40fr	4.76fr
5 - 9	4.18fr	4.52fr
10 - 24	3.96fr	4.28fr
25 - 49	3.74fr	4.04fr
50 - 99	3.66fr	3.96fr
100 - 162	3.23fr	3.49fr

Quantité	U.P
1 - 4	4.40fr	4.76fr
5 - 9	4.18fr	4.52fr
10 - 24	3.96fr	4.28fr
25 - 49	3.74fr	4.04fr
50 - 99	3.66fr	3.96fr
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Transistor IRFB4310PBF. Transistor. C (in): 7670pF. C (out): 540pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Id(imp): 550A. Id (T=100°C): 92A. Id (T=25°C): 130A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRFB4310. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 5.6M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 68 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 22:25.

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