Transistor IRFB4710PBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	3.73fr	4.03fr
5 - 9	3.54fr	3.83fr
10 - 24	3.35fr	3.62fr
25 - 49	3.17fr	3.43fr
50 - 99	3.09fr	3.34fr
100 - 142	2.91fr	3.15fr

Quantité	U.P
1 - 4	3.73fr	4.03fr
5 - 9	3.54fr	3.83fr
10 - 24	3.35fr	3.62fr
25 - 49	3.17fr	3.43fr
50 - 99	3.09fr	3.34fr
100 - 142	2.91fr	3.15fr

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Lot de 1

Transistor IRFB4710PBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFB4710PBF. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 45A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 35 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 41 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6160pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 22:25.

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