Transistor IRFB9N65A

Quantité	HT	TTC
1 - 4	3.59fr	3.88fr
5 - 9	3.41fr	3.69fr
10 - 24	3.23fr	3.49fr
25 - 36	3.05fr	3.30fr

Quantité	U.P
1 - 4	3.59fr	3.88fr
5 - 9	3.41fr	3.69fr
10 - 24	3.23fr	3.49fr
25 - 36	3.05fr	3.30fr

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Lot de 1

Transistor IRFB9N65A. Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id (T=100°C): 5.4A. Id (T=25°C): 8.5A. Idss (maxi): 8.5A. Dissipation de puissance maxi: 167W. Résistance passante Rds On: 0.93 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 650V. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 20:25.

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