Transistor IRFBE30PBF

Transistor IRFBE30PBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFBE30PBF. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 82 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 20:25.